구리의 습식 원자층 에칭 방법

본 개시내용은 구리를 에칭하기 위한 신규한 습식 원자층 에칭(ALE) 공정을 제공한다. 보다 구체적으로, 본 개시내용은 습식 ALE 공정에서 구리를 에칭하기 위해 신규한 에칭 화학물질을 이용하는 방법의 다양한 실시형태를 제공한다. 습식 ALE 공정에서 본원에 개시된 신규한 에칭 화학물질을 이용함으로써, 본 개시내용은 단층 정밀도로 매우 선택적인 구리 에칭을 제공한다. The present disclosure provides a new wet atomic layer etch (ALE) process for etching copper. More specifically, the present disclosure provides various embodiments of methods that utilize new etch chemistries for etching copper in a wet ALE process. By utilizing the new etch chemistries disclosed herein within a wet ALE process, the present disclosure provides a highly selective etch of copper with monolayer precision.