Memory device and method of operating the memory device

개시된 실시예에 따른 비트라인 및 공통 소스 라인 사이에 복수의 스택(Stack)으로 설치된 워드 라인 영역을 리커버리(Recovery)하는 메모리 장치는 워드 라인에서 제1 저항 값을 갖는 제1 영역, 워드 라인에서 제1 저항 값과 다른 제2 저항 값을 갖는 제2 영역, 제2 저항 값과 같은 제3 저항 값을 갖는 제3 영역 및 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역의 리커버리 순서를 제어하는 프로세서를 포함 A memory device includes a word line area that is between a bit line and a common source line. The word line area includes a plurality of stacks. A first area includes first stacks with a first resistance value in the word line area, a second area includes second stacks with a second resistance value in the word line area, wherein the second resistance value is different from the first resistance value, a third area includes third stacks with a third resistance value that different from the first resistance value, and a processor is configured to control a recovery sequence of the first area, the second area, and the third area.