Substrate processing method
본 발명은 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판품질을 개선하기 위한 기판처리방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판처리방법은, 챔버 내 기판을 처리하기 위한 기판처리방법으로서, 상기 챔버 내 기판을 제1온도(T1)로 처리하는 제1처리단계(S100)와; 상기 제1처리단계(S100) 이후에 상기 챔버 내 기판을 상기 제1온도(T1) 보다 높은 제2온도(T2)로 처리하는 제2처리단계(S200)를 포함하며, 적어도 일부 시간 동안 상기 챔버 내 압력을 상압보다 큰 제1압력(P1)으로 가압하고, 상기 제1압력에서 제2압력(P...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Zusammenfassung: | 본 발명은 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판품질을 개선하기 위한 기판처리방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판처리방법은, 챔버 내 기판을 처리하기 위한 기판처리방법으로서, 상기 챔버 내 기판을 제1온도(T1)로 처리하는 제1처리단계(S100)와; 상기 제1처리단계(S100) 이후에 상기 챔버 내 기판을 상기 제1온도(T1) 보다 높은 제2온도(T2)로 처리하는 제2처리단계(S200)를 포함하며, 적어도 일부 시간 동안 상기 챔버 내 압력을 상압보다 큰 제1압력(P1)으로 가압하고, 상기 제1압력에서 제2압력(P2)으로 감압하는 기판처리방법을 개시한다. |
|---|