Semiconductor device

반도체 장치가 제공된다. 반도체 장치는 제1 농도의 중수소를 포함하는 기판, 기판 상에서 제1 수평 방향으로 연장되는 액티브 패턴, 액티브 패턴 상에서 제1 수평 방향과 다른 제2 수평 방향으로 연장되는 게이트 전극, 액티브 패턴과 게이트 전극 사이에 배치되고, 제2 농도의 중수소를 포함하는 게이트 절연막, 게이트 전극 상에 배치되는 제1 층간 절연막, 제1 층간 절연막 상에 배치되는 제2 층간 절연막, 및 제2 층간 절연막의 내부에 배치되고, 제1 농도보다 작은 제3 농도의 중수소를 포함하는 배선 패턴을 포함하되, 제1 내지 제3 농도 각각은 동일한 단위 체적(unit volume)에 포함된 중수소 원자의 농도로 정의된다. A semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a substrate containing deuterium at a first concentration, an active pattern disposed on the substrate and extending in a first horizontal direction, a gate electrode disposed on the active pattern and extending in a second horizontal direction different from the first horizontal direction, a gate insulating layer disposed between the active pattern and the gate electrode, the gate insulating layer containing deuterium at a second concentration, a first interlayer insulating layer disposed on the gate electrode, a second interlayer insulating layer disposed on the first interlayer insulating layer, and a wiring pattern disposed inside the second interlayer insulating layer, the wiring pattern containing deuterium at a third concentration lower than the first concentration, wherein each of the first to third concentrations is a concentration of deuterium atoms contained in the same unit volume.