Semiconductor Core Die Core Die Stack Units Semiconductor Stack Structures and High Bandwidth Memory

반도체 코어 다이가 설명된다. 반도체 코어 다이는 전면 및 후면을 갖는 바디; 및 상기 바디의 상기 전면 상에 배치된 전면 패드 구조를 포함할 수 있다. 상기 전면 패드 구조는 상기 바디의 상기 전면 상의 전면 패드 씨드층 및 상기 전면 패드 씨드층 상의 전면 패드 패턴을 포함할 수 있다. 상기 전면 패드 패턴은 플레이트 모양을 갖는 제1 전면 패드부; 상기 제1 전면 패드부의 상면으로부터 위쪽으로 돌출한 기둥 또는 단 모양을 갖도록 상기 제1 전면 패드부의 상기 상면 상에 배치된 제2 전면 패드부; 및 상기 제1 전면 패드부의 하면으로부터 아래 쪽으로 돌출한 기둥 또는 단 모양을 갖도록 상기 제1 전면 패드부의 상기 하면 상에 배치된 제3 전면 패드부를 포함할 수 있다. 상기 제1 전면 패드부, 상기 제2 전면 패드부, 및 상기 제3 전면 패드부는 물질적으로 연속하도록 동일한 물질로 형성될 수 있다. A semiconductor die stack structure includes a base die, a plurality of semiconductor die stack units, and bumps. Each of the plurality of semiconductor die stack units includes a lower semiconductor die and an upper semiconductor die. Each of the lower semiconductor die and the upper semiconductor die includes a body and a front-side pad structure. The front-side pad structure includes a front-side pad seed layer and a front-side pad pattern. The front-side pad pattern includes a first front-side pad portion, a second front-side pad portion, and a third front-side pad portion. The first front-side pad portion and the second front-side pad portion forms a staircase. The first front-side pad portion and the third front-side pad form a reverse staircase. The first front-side pad portion, the second front-side pad portion, and the third front-side pad include a same metal.