SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME

본 발명은 신뢰성이 향상된 반도체 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 메모리 장치는 셀 어레이 영역, 및 연장 영역을 포함하는 기판, 셀 어레이 영역의 기판 상에 차례로 적층되며, 연장 영역의 기판 상에서 계단형으로 적층되는 복수의 게이트 전극들과, 복수의 게이트 전극들과 교대로 적층되는 복수의 몰드 절연막들을 포함하는 몰드 구조체, 셀 어레이 영역의 기판 상에, 몰드 구조체를 관통하여 복수의 게이트 전극들과 교차하는 복수의 채널 구조체들, 연장 영역의 기판 상에, 각각의 복수의 게이트 전극들과 접속되는 복수의 셀 컨택들...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	KIM NAM BIN, LEE SUNG BOK, KIM SAM KI, HWANG SUN GYUNG, LEE SAE ROM, CHOI NAG YONG, LIM JUN HEE, KIM JI WOONG, MOON KI BONG, KIM TAE HUN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	ELECTRICITY
Online-Zugang:	Volltext bestellen
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