SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

플라스마 박스 내의 퇴적물을 효과적으로 제거할 수 있는 기술을 제공한다. 본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 장치는, 감압 가능한 처리 용기와, 내부가 상기 처리 용기 내와 연통되고, 상기 내부에서 플라스마가 생성되는 플라스마 박스와, 상기 처리 용기 내에 마련되고, 내부에 클리닝 가스가 도입되는 제1 가스 노즐과, 상기 플라스마 박스 내에 마련되고, 내부가 상기 처리 용기 내에 대해 음압으로 조정 가능한 제2 가스 노즐을 구비한다. A substrate processing apparatus includes: a processin...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	SON SUNG DUK
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	플라스마 박스 내의 퇴적물을 효과적으로 제거할 수 있는 기술을 제공한다. 본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 장치는, 감압 가능한 처리 용기와, 내부가 상기 처리 용기 내와 연통되고, 상기 내부에서 플라스마가 생성되는 플라스마 박스와, 상기 처리 용기 내에 마련되고, 내부에 클리닝 가스가 도입되는 제1 가스 노즐과, 상기 플라스마 박스 내에 마련되고, 내부가 상기 처리 용기 내에 대해 음압으로 조정 가능한 제2 가스 노즐을 구비한다. A substrate processing apparatus includes: a processing container configured to be depressurized; a plasma box including an interior, which communicates with an interior of the processing container, and configured such that plasma is generated in the interior of the plasma box; a first gas nozzle installed in the processing container and into which a cleaning gas is introduced; and a second gas nozzle installed in the plasma box and configured such that an interior of the second gas nozzle is adjusted to have a negative pressure with respect to the interior of the processing container.