CHALCOGENIDE MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE
칼코게나이드 물질은, 저마늄(Ge), 셀레늄(Se), 아세닉(As), 실리콘(Si) 및 인듐(In)을 포함할 수 있고, 상기 셀레늄(Se)이 49 내지 56 at% 포함되고, 상기 인듐(In)이 1.1at% 이하로 포함되고, 상기 저마늄(Ge)과 실리콘(Si)의 합이 18 내지 21 at%일 수 있다. Disclosed is a chalcogenide material including germanium (Ge), selenium (Se), arsenic (As), silicon (Si) and indium (In). In the c...
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| Hauptverfasser: | , , , |
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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| Zusammenfassung: | 칼코게나이드 물질은, 저마늄(Ge), 셀레늄(Se), 아세닉(As), 실리콘(Si) 및 인듐(In)을 포함할 수 있고, 상기 셀레늄(Se)이 49 내지 56 at% 포함되고, 상기 인듐(In)이 1.1at% 이하로 포함되고, 상기 저마늄(Ge)과 실리콘(Si)의 합이 18 내지 21 at%일 수 있다.
Disclosed is a chalcogenide material including germanium (Ge), selenium (Se), arsenic (As), silicon (Si) and indium (In). In the chalcogenide material, a content of selenium (Se) is 49 at % to 56 at %, a content of indium (In) is 1.1 at % or less, and a sum of contents of germanium (Ge) and silicon (Si) is 18 at % to 21 at %. |
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