SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATION METHOD THEREOF

본 발명에 따른 반도체 메모리 장치는, 복수의 메모리 뱅크들을 포함하는 셀 어레이, 외부에서 입력되는 읽기/쓰기 명령, 읽기 명령, 그리고 쓰기 명령을 디코딩하는 명령어 디코더, 읽기 어드레스와 쓰기 어드레스를 수신하는 어드레스 디코더, 쓰기 데이터 패드를 통해 입력되는 쓰기 데이터를 상기 쓰기 어드레스에 대응하는 메모리 뱅크의 글로벌 입출력 드라이버에 전달하는 입력 수신기, 그리고 상기 읽기 어드레스에 대응하는 메모리 뱅크의 입출력 센스 앰프로부터 출력되는 읽기 데이터를 읽기 데이터 패드로 전달하는 출력 드라이버를 포함하되, 상기 쓰기 데이터는 싱글 데이터 레이트(SDR) 방식으로 상기 쓰기 데이터 패드를 경유하여 입력되고, 병렬화(Deserialization) 처리없이 상기 글로벌 입출력 드라이버에 전달된다. A semiconductor memory device (1200), includes, a cell array (1210) including a plurality of memory banks (1210a, 1210b, 1210c, 1210d), a command decoder (1230) configured to decode a read/write command (R&W), a read command (R), and a write command (W) that are input from outside of the semiconductor memory device, an address decoder (1220) receiving a read address (R_ADD) and a write address (W_ADD), an input receiver (1290) configured to transmit write data (W_DATA) input through a write data pad (WDQ) to a global input/output driver (GIODRV) of a memory bank corresponding to the write address (W_ADD), and an output driver (1295) configured to transmit read data (R_DATA) output from an input/output sense amplifier (IOSA) of a memory bank corresponding to the read address (R_ADD) to a read data pad (RDQ), wherein the write data (W_DATA) is input via the write data pad (WDQ) in a single data rate method and transmitted to the global input/output driver (GIODRV) without deserialization processing, and the read data (R_DATA) is transmitted from the input/output sense amplifier (IOSA) to the read data pad (RDQ) without serialization processing. In some embodiments, the semiconductor memory device (1200) is electrically and physically coupled to a central processing unit (1100) by hybrid copper bonding (1006).