Phase-Shift Blankmask and Photomask for EUV lithography with Phase-shift Film of High Reflectivity

극자외선 리소그래피용 블랭크마스크는 위상반전막을 구비하며, 위상반전막은 Ru, Mo, Nb, Si, Zr 중 하나 이상을 포함한다. 위상반전막은 낮은 굴절률(n)과 낮은 소멸계수(k)를 가지며, 13.5nm 파장의 노광광에 대해 13~50% 의 상대 반사율을 갖는다. 이를 통해 DtS 를 개선하여 Wafer 생산성을 높일 수 있다. 이 블랭크마스크를 이용하여 제작되는 포토마스크는 reverse PSM 으로서 사용될 수 있다. This extreme ultraviolet lithography blankmask comprises a p...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	WOO MI KYUNG, YANG CHUL KYU, YUN JONG WON, SEO GYEONG WON
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	극자외선 리소그래피용 블랭크마스크는 위상반전막을 구비하며, 위상반전막은 Ru, Mo, Nb, Si, Zr 중 하나 이상을 포함한다. 위상반전막은 낮은 굴절률(n)과 낮은 소멸계수(k)를 가지며, 13.5nm 파장의 노광광에 대해 13~50% 의 상대 반사율을 갖는다. 이를 통해 DtS 를 개선하여 Wafer 생산성을 높일 수 있다. 이 블랭크마스크를 이용하여 제작되는 포토마스크는 reverse PSM 으로서 사용될 수 있다. This extreme ultraviolet lithography blankmask comprises a phase shift film, the phase shift film comprising at least one of Ru, Mo, Nb, Si, and Zr. The phase shift film has a low refractive index (n) and low extinction coefficient (k), and a relative reflectance of 13% to 50% for exposure light with a wavelength of 13.5 nm. Accordingly, it is possible to improve DtS and increase wafer productivity. A photomask manufactured by using this blankmask may be used as a reverse PSM.