Image sensor

이미지 센서는, 복수의 단위 화소들을 포함하고, 제1 방향을 바라보는 제1 면 및 상기 제1 방향에 대향하는 제2 방향을 바라보는 제2 면을 포함하는 기판; 및 상기 단위 화소들의 사이에서 상기 제2 방향을 따라 상기 기판을 관통하는 화소 분리부를 포함한다. 상기 화소 분리부는: 상기 기판의 상기 제2 면으로부터 상기 기판의 내부로 연장되는 매립 도전 패턴; 및 상기 매립 도전 패턴의 하면을 덮고, 상기 기판 및 상기 매립 도전 패턴의 사이로 연장되는 절연 구조체를 포함한다. 제1 레벨 및 그 아래의 제2 레벨이 정의된다. 상기 매...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: CHOE JUNGIM, KIM JINGYUN, BAE BYEONGTAEK, KIM KOOK TAE
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:이미지 센서는, 복수의 단위 화소들을 포함하고, 제1 방향을 바라보는 제1 면 및 상기 제1 방향에 대향하는 제2 방향을 바라보는 제2 면을 포함하는 기판; 및 상기 단위 화소들의 사이에서 상기 제2 방향을 따라 상기 기판을 관통하는 화소 분리부를 포함한다. 상기 화소 분리부는: 상기 기판의 상기 제2 면으로부터 상기 기판의 내부로 연장되는 매립 도전 패턴; 및 상기 매립 도전 패턴의 하면을 덮고, 상기 기판 및 상기 매립 도전 패턴의 사이로 연장되는 절연 구조체를 포함한다. 제1 레벨 및 그 아래의 제2 레벨이 정의된다. 상기 매립 도전 패턴의 상기 하면은 상기 제2 레벨에 위치한다. 상기 제1 레벨에서 상기 기판의 상기 제2 면에 평행한 제3 방향에 따른 상기 절연 구조체의 폭은 상기 제2 레벨에서보다 작다. An image sensor comprising a substrate including a plurality of unit pixels and including a first surface facing a first direction and a second surface facing a second direction opposite to the first direction, and a pixel isolation structure passing through the substrate in the second direction between the unit pixels, wherein the pixel isolation structure includes a buried conductive pattern extending from the second surface of the substrate into an inside of the substrate, and an insulating structure covering a lower surface of the buried conductive pattern and extending between the substrate and the buried conductive pattern, a first level and a second level that is under the first level being defined, the lower surface of the buried conductive pattern being positioned at the second level.