SEMICONDUCTOR DEVICE PERFORMING DATA READ OPERATION AND CONTROLLER CONTROLLING THE SAME

반도체 장치의 동작 방법은 보조 리드 전압을 이용하여, 리드 대상으로 선택된 메모리 셀들에 대한 프리 센싱 동작을 수행하는 단계 및 상기 보조 리드 전압보다 큰 메인 리드 전압을 이용하여, 상기 선택된 메모리 셀들에 대한 메인 센싱 동작을 수행하는 단계를 포함한다. 상기 메인 센싱 동작을 수행하는 단계는, 상기 프리 센싱 동작의 결과에 기초하여 상기 선택된 메모리 셀들에 각각 대응하는 상기 복수의 페이지 버퍼들의 제1 센싱 노드를 선택적으로 프리차지하는 단계를 포함한다. A method of operating a semiconductor device includes performing a pre-sensing operation on selected memory cells; and performing a main sensing operation on the selected memory cells. The performing of the main sensing operation includes selectively precharging first sensing nodes of a plurality of page buffers respectively corresponding to the selected memory cells, based on a result of the pre-sensing operation.