Method for forming a thin film of Molybdenum atomic layer

몰리브덴 원자층 박막 형성 방법은, 챔버 내에 기판을 배치하는 제1 단계와, 상기 기판에 질화 몰리브덴(MoN)으로 구성된 기초층을 형성하는 제2 단계와, 및 상기 기초층 위에 몰리브덴 층을 형성하는 제3 단계를 포함하며, 상기 제2 단계는, 상기 기판 상에 몰리브덴 전구체를 공급하는 단계와, 상기 몰리브덴 전구체의 제1 반응가스를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 제3 단계는, 상기 기초층 위에 몰리브덴 전구체를 공급하는 단계와, 상기 몰리브덴 전구체의 제2 반응가스를 공급하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 제1 반응가스는 NH3...

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1. Verfasser: LEE BAEK JU
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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creator LEE BAEK JU
description 몰리브덴 원자층 박막 형성 방법은, 챔버 내에 기판을 배치하는 제1 단계와, 상기 기판에 질화 몰리브덴(MoN)으로 구성된 기초층을 형성하는 제2 단계와, 및 상기 기초층 위에 몰리브덴 층을 형성하는 제3 단계를 포함하며, 상기 제2 단계는, 상기 기판 상에 몰리브덴 전구체를 공급하는 단계와, 상기 몰리브덴 전구체의 제1 반응가스를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 제3 단계는, 상기 기초층 위에 몰리브덴 전구체를 공급하는 단계와, 상기 몰리브덴 전구체의 제2 반응가스를 공급하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 제1 반응가스는 NH3 가스를 적어도 포함하고, 상기 제2 반응가스는 H2 가스를 적어도 포함한다.
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