Method for forming a thin film of Molybdenum atomic layer

몰리브덴 원자층 박막 형성 방법은, 챔버 내에 기판을 배치하는 제1 단계와, 상기 기판에 질화 몰리브덴(MoN)으로 구성된 기초층을 형성하는 제2 단계와, 및 상기 기초층 위에 몰리브덴 층을 형성하는 제3 단계를 포함하며, 상기 제2 단계는, 상기 기판 상에 몰리브덴 전구체를 공급하는 단계와, 상기 몰리브덴 전구체의 제1 반응가스를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 제3 단계는, 상기 기초층 위에 몰리브덴 전구체를 공급하는 단계와, 상기 몰리브덴 전구체의 제2 반응가스를 공급하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 제1 반응가스는 NH3...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	LEE BAEK JU
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	몰리브덴 원자층 박막 형성 방법은, 챔버 내에 기판을 배치하는 제1 단계와, 상기 기판에 질화 몰리브덴(MoN)으로 구성된 기초층을 형성하는 제2 단계와, 및 상기 기초층 위에 몰리브덴 층을 형성하는 제3 단계를 포함하며, 상기 제2 단계는, 상기 기판 상에 몰리브덴 전구체를 공급하는 단계와, 상기 몰리브덴 전구체의 제1 반응가스를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 제3 단계는, 상기 기초층 위에 몰리브덴 전구체를 공급하는 단계와, 상기 몰리브덴 전구체의 제2 반응가스를 공급하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 제1 반응가스는 NH3 가스를 적어도 포함하고, 상기 제2 반응가스는 H2 가스를 적어도 포함한다.