LIGHT EMITTING ELEMENT DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING ELEMENT

본 발명의 발광 소자는 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 상에 배치된 활성층; 상기 활성층 상에 배치된 제2 반도체층; 및 제1 방향으로 순차적으로 배치된 상기 제1 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제2 반도체층의 적어도 일부를 둘러싸는 절연막을 포함하고, 상기 활성층은 상기 제1 방향으로 순차적으로 배치된 제1 장벽층, 제1 우물층, 및 제2 장벽층을 포함하고, 상기 제1 우물층은 상기 제1 우물층을 관통하는 제1 홀들을 포함할 수 있다. A light emitting element (LD) includes: a first s...

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Hauptverfasser: LEE DONG EON, LEE SEUNG A, LEE KWAN JAE, PARK BONG CHUN, LEE SO YOUNG
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명의 발광 소자는 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 상에 배치된 활성층; 상기 활성층 상에 배치된 제2 반도체층; 및 제1 방향으로 순차적으로 배치된 상기 제1 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제2 반도체층의 적어도 일부를 둘러싸는 절연막을 포함하고, 상기 활성층은 상기 제1 방향으로 순차적으로 배치된 제1 장벽층, 제1 우물층, 및 제2 장벽층을 포함하고, 상기 제1 우물층은 상기 제1 우물층을 관통하는 제1 홀들을 포함할 수 있다. A light emitting element (LD) includes: a first semiconductor layer (11); an active layer (12) provided on the first semiconductor layer; a second semiconductor layer (13) provided on the active layer; and an insulative film (14) around at least a portion of the first semiconductor layer, the active layer, and the second semiconductor layer, which are sequentially provided in a first direction (DR1). The active layer (12) includes a first barrier layer (QB1), a first well layer (QW1), and a second barrier layer (QB2), which are sequentially provided in the first direction, and the first well layer (QW1) includes first holes (EH1) penetrating the first well layer. A method of manufacturing said light emitting element is also disclosed; method during which the well layer is partially etched in order to form the holes.