볼-본드 배열체

반도체 디바이스의 본드 패드 및 본드 패드에 볼-본딩된 와이어를 포함하는 볼-본드 배열체(ball-bond arrangement)로서, 본딩된 볼로부터 연장되는 와이어는 표면을 갖는 은-기반 와이어 코어를 포함하며 15 내지 50 μm의 직경을 갖고, 와이어 코어는 그의 표면 상에 중첩된 코팅 층을 갖고, 코팅 층은 1 내지 40 nm 두께의 내부 팔라듐 또는 니켈 층 및 인접한 20 내지 500 nm 두께의 외부 금 층으로 구성된 이중층이고, 본딩된 볼의 표면은 70 내지 100%의 금 커버리지(coverage)를 갖는다. A ball-bond arrangement comprising a bond pad of a semiconductor device and a wire ball-bonded to the bond pad, wherein the wire extending from the bonded ball has a diameter of 15 to 50 µm, and comprises a silver-based wire core with a surface, the wire core having a coating layer superimposed on its surface, wherein the coating layer is a double-layer comprised of a 1 to 40 nm thick inner layer of palladium or nickel and an adjacent 20 to 500 nm thick outer layer of gold, and wherein the surface of the bonded ball has a gold coverage of 70 to 100 %.