Semiconductor device and method for manufacturing the same

본 발명은 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 활성 패턴을 포함하는 기판; 상기 활성 패턴 상의 채널 패턴 및 상기 채널 패턴에 연결되는 소스/드레인 패턴; 상기 채널 패턴 상에의 게이트 전극; 상기 소스/드레인 패턴 상의 활성 콘택; 상기 활성 콘택에 인접하며, 상기 기판의 내부로 연장되는 상부 콘택; 상기 기판 내에 매립된 하부 파워 배선; 및 상기 기판의 바닥면 상에 제공된 파워 전송 네트워크 층을 포함한다. 상기 하부 파워 배선은 상기 상부 콘택과 연결되는 연결부를 포함하고, 상기 상부 콘택의 하부는 상기 연결부의 내부로 돌출된다. A semiconductor device comprising a substrate including an active pattern, a channel pattern and a source/drain pattern that are on the active pattern, the source/drain pattern connected to the channel pattern, a gate electrode on the channel pattern, an active contact on the source/drain pattern, an upper contact being adjacent to the active contact and extending into the substrate, a lower power interconnection line buried in the substrate, and a power delivery network layer on a bottom surface of the substrate, wherein the lower power interconnection line includes a connection portion connected to the upper contact, and a lower portion of the upper contact protrudes into the connection portion.