ELECTROSTATIC CHUCK

(과제) 극저온의 환경하에 있어서의 세라믹 유전체 기판의 베이스 플레이트로부터의 박리나 세라믹 유전체 기판의 갈라짐을 억제할 수 있는 정전 척을 제공한다. (해결 수단) 세라믹 유전체 기판과, 상기 세라믹 유전체 기판을 지지하는 금속제의 베이스 플레이트와, 상기 세라믹 유전체 기판과 상기 베이스 플레이트 사이에 형성되어 수지 재료를 포함하는 접합층을 구비하고, 이하의 제 1~제 6 조건 중 적어도 어느 하나를 충족하는 것을 특징으로 하는 정전 척. 제 1 조건: -60℃에 있어서의 상기 접합층의 신장률 α1은 120% 이상이다. 제...

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Hauptverfasser: MOMIYAMA YUTAKA, SASAKI HITOSHI
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:(과제) 극저온의 환경하에 있어서의 세라믹 유전체 기판의 베이스 플레이트로부터의 박리나 세라믹 유전체 기판의 갈라짐을 억제할 수 있는 정전 척을 제공한다. (해결 수단) 세라믹 유전체 기판과, 상기 세라믹 유전체 기판을 지지하는 금속제의 베이스 플레이트와, 상기 세라믹 유전체 기판과 상기 베이스 플레이트 사이에 형성되어 수지 재료를 포함하는 접합층을 구비하고, 이하의 제 1~제 6 조건 중 적어도 어느 하나를 충족하는 것을 특징으로 하는 정전 척. 제 1 조건: -60℃에 있어서의 상기 접합층의 신장률 α1은 120% 이상이다. 제 2 조건: 25℃에 있어서의 상기 접합층의 신장률 α2에 대한 상기 신장률 α1의 비 α1/α2는 0.60 이상이다. 제 3 조건: -60℃에 있어서의 상기 접합층의 접합 강도 β1은 0.4㎫ 이상 10㎫ 이하이다. 제 4 조건: 25℃에 있어서의 상기 접합층의 접합 강도 β2에 대한 상기 접합 강도 β1의 비 β1/β2는 0.6 이상 10 이하이다. 제 5 조건: -60℃에 있어서의 상기 접합층의 탄성률 γ1은 0.1㎫ 이상 10㎫ 이하이다. 제 6 조건: 25℃에 있어서의 상기 접합층의 탄성률 γ2에 대한 상기 탄성률 γ1의 비 γ1/γ2는 0.6 이상 30 이하이다. According to one embodiment, an electrostatic chuck includes a ceramic dielectric substrate, a base plate, and a bonding layer provided between the ceramic dielectric substrate and the base plate. At least one of the following first to sixth conditions is satisfied: First condition: An elongation percentage α1 is not less than 120%; Second condition: A ratio α1/α2 of the elongation percentage is not less than 0.60; Third condition: A bonding strength β1 is not less than 0.4 MPa and not more than 10 MPa; Fourth condition: A ratio β1/β2 of the bonding strength is not less than 0.6 and not more than 10; Fifth condition: An elastic modulus γ1 is not less than 0.1 MPa and not more than 10 MPa; Sixth condition: A ratio γ1/γ2 of the elastic modulus is not less than 0.6 and not more than 30.