METHOD OF PROFILE CONTROL FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

반도체 구조물을 형성하는 방법은, 제1 맨드릴 층을 표적 층 위에 형성하는 단계; 제2 맨드릴 층을 제1 맨드릴 층 위에 형성하는 단계; 및 제2 맨드릴 층 및 제1 맨드릴 층을 에칭함으로써, 맨드릴을 패터닝하는 단계를 포함한다. 제1 맨드릴 층은 제1 에칭 속도를 가지고, 제2 맨드릴 층은 제1 에칭 속도보다 느린 제2 에칭 속도를 갖는다. A method of forming a semiconductor structure includes forming a first mandrel layer over a target layer, forming a second mandrel layer over the first mandrel layer, and patterning a mandrel by etching the second mandrel layer and the first mandrel layer. The first mandrel layer has a first etch rate and the second mandrel layer has a second etch rate less than the first etch rate.