PHOTOMASK MANUFACTURING METHOD AND A SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD USING THE SAME

본 발명은 신뢰성이 향상된 포토마스크 제작 방법에 관한 것이다. 본 발명의 포토마스크 제작 방법은, 제1 마스크 패턴, 상기 제1 마스크 패턴과 이격된 제2 마스크 패턴, 및 상기 제2 마스크 패턴의 일측에, 적어도 하나 이상의 서브 보조 패턴(SRAF)을 포함하는 프리 포토마스크를 제공하고, 상기 프리 포토마스크를 이용하여 노광 공정을 수행하여 프리 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 프리 포토레지스트 패턴은 상기 제1 마스크 패턴에 대응되는 제1 부분과, 상기 제2 마스크 패턴, 및 상기 서브 보조 패턴에 대응되는 제2 부분을...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: SON BYEONG HWAN, PARK JI EUN, KIM KYEONG A, PARK SANG WON, LEE DAE HEE, CHA A YEONG
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명은 신뢰성이 향상된 포토마스크 제작 방법에 관한 것이다. 본 발명의 포토마스크 제작 방법은, 제1 마스크 패턴, 상기 제1 마스크 패턴과 이격된 제2 마스크 패턴, 및 상기 제2 마스크 패턴의 일측에, 적어도 하나 이상의 서브 보조 패턴(SRAF)을 포함하는 프리 포토마스크를 제공하고, 상기 프리 포토마스크를 이용하여 노광 공정을 수행하여 프리 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 프리 포토레지스트 패턴은 상기 제1 마스크 패턴에 대응되는 제1 부분과, 상기 제2 마스크 패턴, 및 상기 서브 보조 패턴에 대응되는 제2 부분을 포함하고, 상기 프리 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 수평 방향으로의 제1 폭을 갖는 제1 더미 패턴, 및 상기 수평 방향으로의 제2 폭을 갖는 제2 더미 패턴을 형성하고, 상기 제1 더미 패턴은 상기 제1 부분에 대응되고, 상기 제2 더미 패턴은 상기 제2 부분에 대응되고, 삽입된 상기 서브 보조 패턴의 개수에 대한 상기 제2 폭의 크기의 상관 관계를 모델링하고, 상기 모델링 결과에 기초하여 상기 제2 마스크 패턴의 일측에 적어도 하나 이상의 보조 패턴을 삽입하여 포토마스크를 제작하는 것을 포함한다.