LIGHT EMITTING DEVICE AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자는 미도핑 반도체층, 초격자층, 제1 반도체층, 발광층, 및 제2 반도체층을 포함하는 반도체 구조물, 반도체 구조물의 측면부에 배치된 보호층, 제1 반도체층과 전기적으로 연결된 제1 전극, 및 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 전극을 포함한다. 이 경우, 반도체 구조물은 미도핑 반도체층 및 초격자층은 제1 반도체층의 표면 일부를 노출시키는 오목부를 포함한다. A light-emitting device can include a semiconductor structure including a undoped semiconductor layer, a superlattice layer, a first semiconductor layer, a light-emitting layer, and a second semiconductor layer; a protective layer disposed on a side surface of the semiconductor structure; a first electrode electrically connected to the first semiconductor layer; and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer. Also, a recess is formed in the undoped semiconductor layer and the superlattice layer, and the recess exposes a portion of a surface of the first semiconductor layer.