Semiconductor package and manufacturing method thereof

본 발명의 기술적 사상은 신뢰성이 향상된 미세 패턴 구조의 배선층을 포함한 반도체 패키지, 및 그 제조 방법을 제공한다. 그 반도체 패키지는, 제1 바디층, 및 상기 제1 바디층 내의 제1 배선층을 구비한 제1 재배선 기판; 상기 제1 재배선 기판 상에 배치된 반도체 칩; 상기 반도체 칩의 주변의, 상기 제1 재배선 기판 상에 배치된 관통 포스트(through post); 및 상기 반도체 칩, 및 관통 포스트 상에 배치된 제2 재배선 기판;을 포함하고, 상기 제1 배선층은, 제1 티타늄(Ti) 씨드층(seed layer)을 포함하며, 상기 제1 Ti 씨드층은, 수직 단면이 사다리꼴 구조를 가지며 상면이 좁고 하면이 넓다. A semiconductor package including, a first redistribution substrate including a first body layer and a first wiring layer in the first body layer, a semiconductor chip on the first redistribution substrate, a through post around the semiconductor chip and on the first redistribution substrate, and a second redistribution substrate on the semiconductor chip and the through post, wherein, the first wiring layer includes a first titanium seed layer, and the first titanium seed layer has a vertical cross-section of a trapezoid structure in which a top surface is narrow and a bottom surface is wide.