Semiconductor device including detection structure

반도체 장치는 반도체 다이, 검출 구조물, 경로 제어 회로 및 검출 회로를 포함한다. 상기 반도체 다이는 반도체 집적 회로가 형성되는 중앙 영역과 상기 중앙 영역을 둘러싸는 외곽 영역을 포함한다. 상기 검출 구조물은 상기 외곽 영역에 환형으로 형성된다. 상기 경로 제어 회로는 상기 검출 구조물의 전기적인 연결을 제어하는 복수의 스위치들을 포함한다. 상기 검출 회로는 상기 경로 제어 회로를 통하여 테스트 입력 신호를 상기 검출 구조물의 순방향과 역방향으로 각각 전파시켜 획득한 순방향 테스트 출력 신호와 역방향 테스트 출력 신호의 차이에 해당하는 차이 신호에 기초하여 상기 반도체 다이의 결함 발생 여부와 상기 결함의 위치를 판단한다. A semiconductor device includes a semiconductor die, a detection structure, a path control circuit and a detection circuit. The semiconductor die includes a central region in which a semiconductor integrated circuit is provided and an external region surrounding the central region. The detection structure is provided in the external region. The path control circuit includes a plurality of switches that controls electrical connection of the detection structure. The detection circuit determines whether a defect is present in the semiconductor die and a location of the defect based on a difference signal. The difference signal corresponds to a difference between a forward direction test output signal and a backward direction test output signal obtained by propagating a test input signal through the detection structure in a forward direction and a backward direction, respectively, via the path control circuit.