다중-레벨 적층된 탄성파(AW) 필터 패키지들 및 관련 제작 방법들

제2 AW 필터(204) 위에 적층된 제1 탄성파(AW) 필터(208)를 포함하는 다중-레벨 적층된 AW 필터 패키지(200)는 접촉 표면을 제2 AW 필터에 결합하기 위한 인터커넥트들을 포함하는 금속화 층을 포함하는 반도체 제작 방법들 및 구조들을 이용한다. 각각의 AW 필터는 반도체 기판에 AW 필터 회로를 포함한다. 기판 상의 프레임(218) 상에 배치된 제2 기판(206)은 AW 필터 회로를 보호한다. 다중-레벨 AW 필터 패키지에서, 제1 AW 필터의 제2 기판은 반도체 기판과 유사한 팽창률을 갖는 유리 기판을 포함한다. 제2 AW 필터를 접촉 표면에 결합하는 인터커넥트들은 격리를 위해 제1 AW 필터의 반도체 기판들의 측벽 표면들 상의 절연체들 상에 배치된다. 단일 AW 필터를 포함하는 적층된 AW 필터 패키지에서, 인터커넥트들은 접촉 표면을 AW 필터에 결합한다. A multi-level stacked AW filter package including a first acoustic wave (AW) filter stacked on a second AW filter employs semiconductor fabrication methods and structures, including a metallization layer comprising interconnects to couple a contact surface to the second AW filter. Each AW filter includes an AW filter circuit on a semiconductor substrate. A second substrate disposed on a frame on the substrate protects the AW filter circuit. In a multi-level AW filter package, the second substrate of the first AW filter comprises a glass substrate with a similar expansion rate as the semiconductor substrate. The interconnects coupling the second AW filter to the contact surface are disposed on insulators on the side wall surfaces of the semiconductor substrates of the first AW filter for isolation. In a stacked AW filter package comprising a single AW filter, the interconnects couple the contact surface to the AW filter.