TECHNIQUE TO TUNE SIDEWALL PASSIVATION DEPOSITION CONFORMALITY FOR HIGH ASPECT RATIO CYLINDER ETCH

반도체 기판 상의 유전체 재료에 리세스된 피처를 형성하기 위한 방법들, 장치 및 시스템들이 제공된다. 분리된 에칭 및 증착 동작들이 순환적 방식으로 채용된다. 에칭 동작 각각은 피처를 부분적으로 에칭한다. 증착 동작 각각은 에칭 동작들 동안 유전체 재료의 측방향 에칭을 방지하도록 피처의 측벽들 상에 보호막을 형성한다. 보호막은 상이한 증착 동작들에서 상이한 조건들 (예를 들어, 압력, 반응물질 전달의 지속기간, 플라즈마 노출의 지속기간, RF 전력, 및/또는 RF 듀티 사이클, 등) 하에서 증착될 수도 있다. 이러한 조건들은 보호막이 형성되는 컨포멀도 (degree of conformality) 에 영향을 줄 수도 있다. 다양한 실시예들에서, 하나 이상의 보호막들은 반-컨포멀 (sub-conformal) 할 수도 있다. 이들 또는 다른 실시예들에서, 하나 이상의 다른 보호막들은 컨포멀할 수도 있다. Methods, apparatus and systems for forming a recessed feature in dielectric material on a semiconductor substrate are provided. Separate etching and deposition operations are employed in a cyclic manner. Each etching operation partially etches the feature. Each deposition operation forms a protective film on the sidewalls of the feature to prevent lateral etch of the dielectric material during the etching operations. The protective film may be deposited under different conditions (e.g., pressure, duration of reactant delivery, duration of plasma exposure, RF power, and/or RF duty cycle, etc.) in different deposition operations. Such conditions may affect the degree of conformality at which the protective film forms. In various embodiments, one or more protective films may be sub-conformal. In these or other embodiments, one or more other protective films may be conformal.