STACKED IMAGE SENSOR

예시적인 실시예에 따른 적층형 이미지 센서가 개시된다. 상기 센서는, 상부에 컬러 필터 어레이 및 마이크로 렌즈가 배치되며, 광전 변환 영역 및 상기 광전 변환 영역에서 전송되는 전하를 저장하는 플로팅 디퓨전 영역을 포함하는 제1 반도체 기판; 상기 제1 반도체 기판의 하부에 배치되며, 상기 광전 변환 영역 내의 전하를 전송하기 위한 전송 트랜지스터의 게이트를 포함하는 제1 절연층; 상기 제1 절연층의 하부에 배치되며, 제1 도전형으로 도핑되는 제2 반도체 기판; 및 상기 제2 반도체 기판의 하부에 배치되며, 플로팅 디퓨전 노드의 메탈 패드 및 소스 팔로워 트랜지스터의 게이트를 포함하는 제2 절연층;을 포함하고, 상기 플로팅 디퓨전 영역과, 상기 플로팅 디퓨전 노드의 메탈 패드는 상기 제1 절연층과, 상기 제2 반도체 기판을 관통하는 딥 컨택을 통해 전기적으로 연결되며, 상기 제2 반도체 기판은 상기 딥 컨택을 둘러싸는 웰 영역;을 더 포함하는 적층형 이미지 센서를 더 포함할 수 있다. The stacked image sensor includes a first semiconductor substrate and including a photoelectric conversion region and a floating diffusion area, a first insulating layer under the first semiconductor substrate and including a gate of a transfer transistor, a second semiconductor substrate under the first insulating layer and including first impurities of a first conductivity type, and a second insulating layer under the second semiconductor substrate and including a metal pad of a floating diffusion node and a gate of a source follower transistor, wherein the floating diffusion area and the metal pad of the floating diffusion node are electrically connected through a deep contact that is in the first insulating layer and the second semiconductor substrate. The second semiconductor substrate further includes a well region. At least a portion of deep contact may be in the well region. The well region may surround the deep contact.