반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

본 발명은 디스플레이 장치 관련 기술 분야에 적용 가능하며, 예를 들어 마이크로 LED(Light Emitting Diode)를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 화소 영역 및 상기 화소 영역 주변에 위치하는 패드 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 위치하고, 상기 화소 영역 내에 복수의 단위 화소 영역을 정의하는 격벽층; 상기 격벽층 상에서 상기 단위 화소 영역 사이에 위치하는 응력 분리 라인; 상기 단위 화소 영역에 위치하는 제1 전극; 상기 단위 화소 영역 내에서 상기 제1 전극에 제1형 전극이 전기적으로 접속되어 설치되는 반도체 발광 소자; 상기 반도체 발광 소자와 격벽층 상에 형성되는 코팅층; 및 상기 코팅층 상에서 상기 반도체 발광 소자의 제2형 전극과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하여 구성될 수 있다. The present invention is applicable to display device-related technical fields and, for example, relates to a display device using micro LED (Light Emitting Diode) and a method of manufacturing the same. The present invention includes a substrate including a pixel area and a pad area located around the pixel area; a barrier layer located on the substrate and defining a plurality of unit pixel areas within the pixel area; a stress separation line located between the unit pixel areas on the barrier layer; a first electrode located in the unit pixel area; a semiconductor light emitting device in which a first type electrode is electrically connected to the first electrode within the unit pixel area; a coating layer formed on the semiconductor light emitting device and the barrier layer; and a second electrode electrically connected to the type second electrode of the semiconductor light emitting device on the coating layer.