리소그래피 공정을 모니터링하는 방법 및 관련된 장치

리소그래피 공정에서 기판 상에서의 하나 이상의 피처의 배치와 관련된 배치 메트릭을 결정하는 컴퓨터 실행 방법이 개시된다. 본 방법은 복수의 배치 오차 기여자 매개변수와 관련된 배치 오차 기여자 데이터 및 수율을 나타내는 수율 데이터를 포함하는 설정 데이터를 획득하는 것; 및 수율 메트릭을 예측하기 위한 통계적 모델 -상기 통계적 모델은 배치 메트릭을 기반으로 하며, 상기 배치 메트릭은 상기 배치 오차 기여자 매개변수 및 관련된 모델 계수의 함수임-을 규정하는 것을 포함한다. 모델 계수는 상기 설정 데이터를 기반으로 피팅되며; 배치...

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Hauptverfasser: DILLEN HERMANUS ADRIANUS, DE ATHAYDE COSTA E SILVA MARSIL, VAN WIJK ROBERT JAN, BASTANI VAHID, ZHANG YICHEN
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:리소그래피 공정에서 기판 상에서의 하나 이상의 피처의 배치와 관련된 배치 메트릭을 결정하는 컴퓨터 실행 방법이 개시된다. 본 방법은 복수의 배치 오차 기여자 매개변수와 관련된 배치 오차 기여자 데이터 및 수율을 나타내는 수율 데이터를 포함하는 설정 데이터를 획득하는 것; 및 수율 메트릭을 예측하기 위한 통계적 모델 -상기 통계적 모델은 배치 메트릭을 기반으로 하며, 상기 배치 메트릭은 상기 배치 오차 기여자 매개변수 및 관련된 모델 계수의 함수임-을 규정하는 것을 포함한다. 모델 계수는 상기 설정 데이터를 기반으로 피팅되며; 배치 메트릭은 상기 피팅된 모델 계수로부터 결정된다. A computer implemented method of determining a placement metric relating to placement of one or more features on a substrate in a lithographic process. The method includes obtaining setup data including placement error contributor data relating to a plurality of placement error contributor parameters and yield data representative of yield and defining a statistical model for predicting a yield metric, the statistical model being based on a placement metric, the placement metric being a function of the placement error contributor parameters, and associated model coefficients. The model coefficients are fitted based on the setup data, and the placement metric determined from the fitted model coefficients.