Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

본 발명은 반도체 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함하는 기판; 상기 제1 면 상의 제1 활성 패턴; 상기 제1 활성 패턴 상의 제1 채널 패턴 및 상기 제1 채널 패턴에 연결되는 제1 소스/드레인 패턴; 상기 제1 채널 패턴 상에 제공되어 제1 방향으로 연장되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 상기 제1 소스/드레인 패턴은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 서로 인접하며; 상기 제1 소스/드레인 패턴 및 상기 게이트 전극 아래에 제공되며, 상기 제1 소스/드레인 패턴 및 상기 게이트 전극을 서로 전기적으로 연결하는 공유 콘택; 및 상기 제2 면 상의 후면 금속 층을 포함한다. A semiconductor memory device includes a substrate including first and second surfaces opposite to each other, a first active pattern on the first surface, a first channel pattern on the first active pattern and a first source/drain pattern connected to the first channel pattern, a gate electrode provided on the first channel pattern and extending in a first direction, the gate electrode adjacent to the first source/drain pattern in a second direction intersecting the first direction, a shared contact provided under the first source/drain pattern and the gate electrode and electrically connecting the first source/drain pattern and the gate electrode to each other, and a backside metal layer on the second surface.