집속 입자 빔을 이용한 샘플의 결함 수리 방법 및 장치

본 발명은 집속 입자 빔(227)을 사용하여 샘플(205, 300, 1500)의 적어도 하나의 결함(320)을 수리하기 위한 방법(1800)에 관한 것으로서, (a) 샘플(205, 300, 1500) 상에 적어도 하나의 제1 국부적, 전기 전도성 희생층(400, 500)을 생성하는 단계(1850) - 제1 국부적, 전기 전도성 희생층(400, 500)은 제1 부분(410, 510) 및 적어도 하나의 제2 부분(420, 530, 540, 550, 560)을 가지며, 제1 부분(410, 510)은 적어도 하나의 결함(320)에 인접하고, 제1 부분(410, 510) 및 적어도 하나의 제2 부분(420, 530, 540, 550, 560)은 서로 전기 전도성으로 연결(570, 580)됨 - ; 및 (b) 적어도 하나의 결함(320)이 수리되는 동안 적어도 하나의 결함(320)과 관련하여 집속 입자 빔(227)의 드리프트를 수정할 목적으로 제1 국부적 전기 전도성 희생층(400, 500)의 적어도 하나의 제2 부분(420, 530, 540, 550, 560) 상에 적어도 하나의 제1 기준 마크(425, 435, 445, 455, 535, 545, 555, 565)를 생성하는 단계(1860)를 포함한다. The present invention relates to a method for repairing at least one defect of a sample using a focused particle beam, comprising the steps of: (a) producing at least one first local, electrically conductive sacrificial layer on the sample, wherein the first local, electrically conductive sacrificial layer has a first portion and at least one second portion, wherein the first portion is adjacent to the at least one defect and wherein the first portion and the at least one second portion are electrically conductively connected to one another; and (b) producing at least one first reference mark on the at least one second portion of the first local, electrically conductive sacrificial layer for the purposes of correcting a drift of the focused particle beam in relation to the at least one defect while the at least one defect is being repaired.