SUBSTRATE TREATING APPARATUS

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 내부 공간이 내부에 마련된 공정 챔버와; 상기 내부 공간으로 공정 가스를 공급하는 샤워 헤드와; 상기 내부 공간에서 기판의 처리 공정이 행해지는 동안에 상기 기판을 지지면에 거치시키고, 상기 기판의 인입과 인출 시에 상하 이동 가능하게 설치된 기판 지지대와; 상기 공정 챔버의 내부에 플라즈마를 형성하기 위한 플라즈마 전극에 RF전력을 인가하는 RF전력 인가부와; 상기 기판 지지대가 하방 이동하는 데 필요한 부하를 측정하는 부하 측정부와; 상기 기판 지지대를 하방으로 이동시키는 동안에 상기 부하 측정부에서 미리 정해진 기준치를 초과하는 부하가 측정되면, 상기 RF전력 인가부에서 RF전력을 인가하여 상기 기판의 상측에 플라즈마를 형성하는 제어부를; 포함하여 구성되어, 짧은 시간 내에 기판을 기판 지지대로부터 손상없이 분리시켜 기판의 이송 시간을 단축하고 손상을 방지하는 기판 처리 장치를 제공한다. The substrate processing apparatus according to the present invention comprises: a process chamber having an internal space therein; the spraying head is used for providing process gas for the internal space; a substrate support table which is provided so as to be movable up and down, and which places the substrate on a support surface during a process of processing the substrate in the internal space; an RF power applying section for applying RF power to a plasma electrode to generate plasma between the showerhead and the substrate support table; a load measurement unit that measures a load required for the downward movement of the substrate support table while the substrate support table moves downward in a state where a process of processing the substrate with plasma is completed; and a control unit for sensing whether the substrate is attached to the substrate support table according to the load measurement value of the load measurement unit, thereby separating the substrate from the substrate support table without damage in a short time, shortening the substrate transfer time and preventing the substrate from being damaged.