STRUCTURE AND METHOD FOR MEMORY ELEMENT TO CONFINE METAL WITH SPACER

본 개시내용은 스페이서로 금속(예컨대, 금속 잔류물의 나머지 부분)을 한정하기 위한 메모리 요소를 위한 구조체 및 방법을 제공한다. 본 개시내용에 따른 구조체는 절연체 층의 제1 부분 위의 메모리 요소를 포함한다. 메모리 요소의 일부는 절연체 층 위의 측벽을 포함한다. 스페이서는 메모리 요소의 측벽에 인접해 있고 절연체 층의 제1 부분 상에 있다. 금속-유전체 층은 스페이서와 측벽 사이의 계면 또는 스페이서와 절연체 층의 제1 부분 사이의 계면 내에 있다. 절연체 층은 제1 부분에 인접해 있는 제2 부분을 포함하고, 제2 부분은 메모리 요소, 스페이서 및 그 위의 금속-유전체 층을 포함하지 않는다. The disclosure provides a structure and method for a memory element to confine a metal (e.g., a remaining portion of a metallic residue) with a spacer. A structure (100) according to the disclosure includes a memory element (102) over a first portion of an insulator layer (104). A portion of the memory element includes a sidewall over the insulator layer. A spacer (126) is adjacent the sidewall of the memory element and on the first portion of the insulator layer. A metal-dielectric layer (124) is within an interface between the spacer and the sidewall or an interface between the spacer and the first portion of the insulator layer. The insulator layer includes a second portion adjacent the first portion, and the second portion does not include the memory element, the spacer, and the metal-dielectric layer thereon.