PLASMA RESISTANT GLASS PARTS AT CHAMBER INSIDE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

본 발명은 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 내플라즈마성 유리 성분들의 함량을 조절하고, SrO를 추가로 포함하여 용융 온도를 낮게 구현하고, 열팽창계수를 감소시켜 고온 사용시 열충격에 손상을 방지할 수 있으며, 광투과율 및 내구성을 향상시킬 수 있는 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조 방법에 관한 것이다....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KIM DAE GEAN, LEE KYUNG MIN, JEON SEO YEON, SEOK HYE WON
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUSENAMELS CHEMISTRY ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GLASS JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES METALLURGY MINERAL OR SLAG WOOL SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS,MINERALS OR SLAGS SURFACE TREATMENT OF GLASS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 내플라즈마성 유리 성분들의 함량을 조절하고, SrO를 추가로 포함하여 용융 온도를 낮게 구현하고, 열팽창계수를 감소시켜 고온 사용시 열충격에 손상을 방지할 수 있으며, 광투과율 및 내구성을 향상시킬 수 있는 내플라즈마성 유리, 반도체 제조 공정을 위한 챔버 내부용 부품 및 그들의 제조 방법에 관한 것이다.