Phase Shift Blankmask and Photomask for EUV lithography

EUV 리소그래피용 블랭크마스크는 기판 상에 순차 형성된 반사막, 캡핑막, 식각저지막, 위상반전막 및 하드마스크막을 구비한다. 위상반전막은 루테늄(Ru)을 포함하고, 식각저지막은 크롬(Cr) 및 니오븀(Nb)을 포함한다. 식각저지막의 니오븀(Nb) 함유량은 20~50at% 이고, 크롬(Cr) 함유량은 10~40at% 이다. 하드마스크막은 탄탈륨(Ta) 및 산소(O)를 포함한다. 하드마스크막의 탄탈륨(Ta) 함유량은 50at% 이상이다. 블랭크마스크는 Wafer Printing 시 우수한 해상도(Resolution) 및 NILS(No...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KIM YONG DAE, YANG CHUL KYU, WOO MI KYUNG
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	EUV 리소그래피용 블랭크마스크는 기판 상에 순차 형성된 반사막, 캡핑막, 식각저지막, 위상반전막 및 하드마스크막을 구비한다. 위상반전막은 루테늄(Ru)을 포함하고, 식각저지막은 크롬(Cr) 및 니오븀(Nb)을 포함한다. 식각저지막의 니오븀(Nb) 함유량은 20~50at% 이고, 크롬(Cr) 함유량은 10~40at% 이다. 하드마스크막은 탄탈륨(Ta) 및 산소(O)를 포함한다. 하드마스크막의 탄탈륨(Ta) 함유량은 50at% 이상이다. 블랭크마스크는 Wafer Printing 시 우수한 해상도(Resolution) 및 NILS(Normalized Image Log Slop) 구현이 가능하고 낮은 DtC(Dose to Clear)의 구현이 가능하다. Disclosed is a blankmask for EUV lithography, including a reflective film, a capping film, an etch stop film, a phase shift film, and a hard mask film which are sequentially formed on a substrate. The phase shift film contains ruthenium (Ru), and the etch stop film contains chrome (Cr) and niobium (Nb). In the etch stop film, the content of niobium (Nb) ranges from 20 to 50 at %, and the content of chrome (Cr) ranges from 10 to 40 at %. The hard mask film contains tantalum (Ta) and oxygen (O). The content of tantalum (Ta) in the hard mask film is higher than or equal to 50 at %. With the blankmask, it is possible to implement a high resolution and NILS during wafer printing, and implement DtC.