APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은, 기판을 세정하는 전 처리 단계; 기판에 에천트(Etchant)를 공급하고, 에천트가 공급된 기판을 가열하여 식각하는 식각 단계; 및 상기 식각 단계가 수행된 기판을 후 처리하는 후 처리 단계를 포함하되, 상기 전 처리 단계, 상기 식각 단계, 그리고 상기 후 처리 단계는 각각 다른 챔버에서 수행되고, 상기 전 처리 단계가 완료된 기판은, 건조된 상태로 상기 식각 단계가 수행되는 챔버로 반송되고, 상기 식각 단계가 완료된 기판은, 액이 웨팅(wetting) 된 상태로 상기 후 처리 단계를 수행하는 챔버로 반송될 수 있다. The inventive concept provides a substrate treating method. The substrate treating method includes pre-treating a substrate by cleaning the substrate; etching the substrate by supplying an etchant and heating a substrate supplied with the etchant; and post-treating the substrate after the etching the substrate, and wherein the pre-treating the substrate, the etching the substrate, and the post-treating the substrate are each performed in different chambers, a substrate on which the pre-treating the substrate is completed is transferred in a dry state to a chamber at which the etching the substrate is performed, and a substrate on which the etching the substrate is completed is transferred in a wetted state with a liquid to a chamber at which the post-treating the substrate is performed.