TEMPERATURE-TUNED SUBSTRATE SUPPORT FOR SUBSTRATE PROCESSING SYSTEMS

기판 프로세싱 시스템에서 처리 동안 기판의 온도를 제어하기 위한 시스템은 중심 존 및 방사상-외측 존을 규정하는 기판 지지부를 포함한다. 기판은 처리 동안 중심 존 및 방사상-외측 존 모두 위에 배치된다. 제 1 가열기는 중심 존을 가열하도록 구성된다. 제 2 가열기는 방사상-외측 존을 가열하도록 구성된다. 제 1 열 싱크는 중심 존과 열적으로 연통하는 일 단부를 갖는다. 제 2 열 싱크는 방사상-외측 존과 열적으로 연통하는 일 단부를 갖는다. 처리 동안 중심 존과 방사상-외측 존 간의 온도 차는 10 ℃보다 크다. A system for controlling a temperature of a substrate during treatment in a substrate processing system comprises a substrate support including first and second components, first and second heaters, and first and second heat sinks. The first component includes an upper surface at least partially defining a center zone. The second component is arranged radially outside of and below the first component. The second component includes an upper surface at least partially defining a radially-outer zone. The first and second components are spaced apart and define a gap between them. The first and second heaters are configured to heat the first and second components, respectively. The first heat sink has one end in thermal communication with the first component. The second heat sink has one end in thermal communication with the second component.