탄소 기반 층으로 코팅된 부품

본 발명은 탄소 기반 물질(M)의 층으로 코팅된 외부 표면을 갖는 금속 기재(S)를 포함하는 금속 부품에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 탄소 기반 물질의 층은: - a-C 계열로부터의 "DLC" 비정질 탄소 유형의 것이고; ● 탄소 기반 물질의 층 내에 3 at% 미만의 산소를 포함하고; ● 수소, 질소, 또는 도핑 원소를 함유하지 않는다. The invention relates to a method for depositing a carbon-based material from a target onto a me...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	LEROY MARIE ALIX, OUGIER MICHAEL
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSIONOF CHEMICAL INTO ELECTRICAL ENERGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 탄소 기반 물질(M)의 층으로 코팅된 외부 표면을 갖는 금속 기재(S)를 포함하는 금속 부품에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 탄소 기반 물질의 층은: - a-C 계열로부터의 "DLC" 비정질 탄소 유형의 것이고; ● 탄소 기반 물질의 층 내에 3 at% 미만의 산소를 포함하고; ● 수소, 질소, 또는 도핑 원소를 함유하지 않는다. The invention relates to a method for depositing a carbon-based material from a target onto a metal substrate, by ion-assisted cathode sputtering.According to the invention, the ratio between the flow of ions that is directed toward the substrate and the flow of neutral carbon atoms that is directed toward the substrate is adjusted to between 1.7 and 3.5; and a bias voltage of between −35 V and −100 V is applied to the substrate.