Plasma purification apparatus

Plasma purification apparatus

개시된 내용의 일 실시 예에 따른 플라즈마 정화장치는 반도체 제조설비에 포함되는 공정 챔버에서 발생한 배기가스 입자를 증가시키는 입자 크기 조절 유닛, 상기 입자 크기 조절 유닛으로부터 배출되는 배기가스가 유입되는 유입구와 배기가스가 배출되는 배기구를 포함하는 챔버 부재, 상기 챔버 부재를 감싸도록 설치되는 마그네틱 코어 및 상기 마그네틱 코어를 감싸도록 설치되는 코일을 포함하는 것을 특징으로 한다....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SUH JUNGHEOK, WOO JUNG YUN, CHOI KYUHO, PYUN KANG O, SHIN JEOM CHEOL, PARK JA IL, KIM CHEOL SIK, SUNG KI CHEUL
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY PERFORMING OPERATIONS PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL SEMICONDUCTOR DEVICES SEPARATION SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION TRANSPORTING
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	개시된 내용의 일 실시 예에 따른 플라즈마 정화장치는 반도체 제조설비에 포함되는 공정 챔버에서 발생한 배기가스 입자를 증가시키는 입자 크기 조절 유닛, 상기 입자 크기 조절 유닛으로부터 배출되는 배기가스가 유입되는 유입구와 배기가스가 배출되는 배기구를 포함하는 챔버 부재, 상기 챔버 부재를 감싸도록 설치되는 마그네틱 코어 및 상기 마그네틱 코어를 감싸도록 설치되는 코일을 포함하는 것을 특징으로 한다.