METHOD AND SYSTEM FOR LIGHT ABSORPTION ENHANCEMENT IN PHOTODIODES USING ON-CHIP PHASE MODULATING THIN-FILM OPTICS RESONANT STRUCTURES AND METASURFACES

이미지 센서의 픽셀이 제공된다. 이미지 센서의 픽셀은 제1 측면 및 제1 측면과 대향하는 제2 측면을 포함하고, 제1 측면에서 입사광을 수신하는 포토다이오드, 포토다이오드의 제1 측면상에 존재하는 박막층 및 포토다이오드의 제2 측면상에 존재하는 반사층을 포함하는 이미지 센서의 픽셀로서, 박막층은 포토다이오드로부터 박막층을 통과하는 광에 단방향 위상 변조를 제공하고, 반사층은 포토다이오드로부터 반사층으로 전달되는 광을 포토다이오드의 제1 측면을 향하여 반사한다. A pixel for an image sensor is disclosed that includes a photodiode, a thin-film layer and a reflective layer. The photodiode includes a first side and a second side that is opposite the first side, and receives incident light on the first side. The thin-film layer is formed on the first side of the photodiode and provides a unidirectional phase-shift to light passing from the photodiode to the thin-film layer. The thin-film layer has a refractive index that less than a refractive index of material forming the photodiode. The unidirectional phase-shift may be a unidirectional π phase shift at a target near-infrared light wavelength. The reflective layer is formed on the second side of the photodiode and reflects light passing from the photodiode to the reflective layer toward the first side of the photodiode. The reflective layer may be a thin-film layer, a Distributed Bragg Reflector layer, or a metal.