기판 영역에 걸쳐 측정 데이터를 모델링하는 방법 및 관련 장치
적어도 제1 장치를 이용하여 적어도 제1 기판에서 수행되는 적어도 제1 공정 및 적어도 제2 장치를 사용하여 적어도 제1 기판에서 수행되는 제2 공정을 포함하는 리소그래피 공정 -제1 장치의 보정 작동 능력은 제2 장치와 상이함-의 적어도 제1 공정에 대한 공정 보정을 결정하는 방법이 개시되며, 본 방법은 제1 기판과 관련된 계측 데이터를 획득하는 것; 제1 모델 -제1 모델은 제1 장치와 관련됨-을 사용하여 계측 데이터를 모델링하는 것; 및 모델링된 계측 데이터를 기반으로 제1 공정을 제어하는 것을 포함하며; 모델링 단계 및/또는...
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Format: | Patent |
Sprache: | kor |
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Zusammenfassung: | 적어도 제1 장치를 이용하여 적어도 제1 기판에서 수행되는 적어도 제1 공정 및 적어도 제2 장치를 사용하여 적어도 제1 기판에서 수행되는 제2 공정을 포함하는 리소그래피 공정 -제1 장치의 보정 작동 능력은 제2 장치와 상이함-의 적어도 제1 공정에 대한 공정 보정을 결정하는 방법이 개시되며, 본 방법은 제1 기판과 관련된 계측 데이터를 획득하는 것; 제1 모델 -제1 모델은 제1 장치와 관련됨-을 사용하여 계측 데이터를 모델링하는 것; 및 모델링된 계측 데이터를 기반으로 제1 공정을 제어하는 것을 포함하며; 모델링 단계 및/또는 부가적인 처리 단계는 성능 매개변수의 분배된 페널티가 그들 각각의 성능 매개변수의 사양 내에 있도록 제1 공정과 제2 공정에 걸쳐 성능 매개변수의 페널티를 분배하는 것을 포함한다.
Disclosed is a method for determining a process correction for at least a first process of a lithographic process, comprising at least the first process performed on at least a first substrate using at least a first apparatus and a second process performed on at least said first substrate using at least a second apparatus, where a correction actuation capability of the first apparatus differs from the second apparatus, comprising: obtaining metrology data relating to said first substrate; modeling said metrology data using a first model, the model being related to said first apparatus; and controlling said first process based on the modeled metrology data; the modeling step and/or an additional processing step comprises distributing a penalty in a performance parameter across said first process and said second process such that the distributed penalties in the performance parameter are within their respective specifications of the performance parameter. |
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