Gas injecting assembly and substrate processing apparatus including the same

본 발명은 가스분사조립체 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 처리를 위해 공정가스를 분사하는 가스분사조립체 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다. 본 발명은, 내부에 기판처리를 위한 처리공간(S1)을 형성하는 공정챔버(10)에 설치되어 상기 처리공간(S1)으로 공정가스를 분사하는 가스분사조립체로서, 상기 공정챔버(10) 상단에 설치되며, 중심에 외부로부터 상기 공정가스를 도입하도록 관통형성되는 피딩홀(120)과, 상기 피딩홀(120)과 저면 사이에서 상기 공정가스를 확산하도록 형성되는 피딩유...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	CHA HYUNG JIN, JEONG TAE HWAN, JANG HEE SUP
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 가스분사조립체 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 처리를 위해 공정가스를 분사하는 가스분사조립체 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다. 본 발명은, 내부에 기판처리를 위한 처리공간(S1)을 형성하는 공정챔버(10)에 설치되어 상기 처리공간(S1)으로 공정가스를 분사하는 가스분사조립체로서, 상기 공정챔버(10) 상단에 설치되며, 중심에 외부로부터 상기 공정가스를 도입하도록 관통형성되는 피딩홀(120)과, 상기 피딩홀(120)과 저면 사이에서 상기 공정가스를 확산하도록 형성되는 피딩유로(130)를 포함하는 백킹플레이트부(100)와; 상기 피딩유로(130)에 구비되어 상기 피딩유로(130)를 흐르는 상기 공정가스의 유속을 제어하는 유속제어부(200)를 포함하는 가스분사조립체를 개시한다.