기판의 처리 방법, 약액 및 약액의 제공 방법
표면에 요철의 패턴이 형성된 기판의 상기 표면을 처리하는, 기판의 처리 방법으로서, 상기 기판의 표면을, 물을 포함하는 린스액으로 린스하는, 린스 공정 S101 과, 상기 린스된 기판의 표면에 약액을 접촉시키고, 상기 기판의 표면에 부착된 액체를 상기 린스액으로부터 상기 약액으로 치환하는, 약액 치환 공정 S102 와, 상기 약액으로 젖은 상기 기판을, 상기 약액의 임계 온도 이상으로 승온하여, 상기 약액을 초임계 상태로 하는 상태 변화 공정 S103 과, 상기 초임계 상태의 약액을 상기 기판의 표면으로부터 제거하는 제거 공정 S1...
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Format: | Patent |
Sprache: | kor |
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Zusammenfassung: | 표면에 요철의 패턴이 형성된 기판의 상기 표면을 처리하는, 기판의 처리 방법으로서, 상기 기판의 표면을, 물을 포함하는 린스액으로 린스하는, 린스 공정 S101 과, 상기 린스된 기판의 표면에 약액을 접촉시키고, 상기 기판의 표면에 부착된 액체를 상기 린스액으로부터 상기 약액으로 치환하는, 약액 치환 공정 S102 와, 상기 약액으로 젖은 상기 기판을, 상기 약액의 임계 온도 이상으로 승온하여, 상기 약액을 초임계 상태로 하는 상태 변화 공정 S103 과, 상기 초임계 상태의 약액을 상기 기판의 표면으로부터 제거하는 제거 공정 S104 를 갖고, 상기 약액은, 물보다 비중이 큰 유기 용매 (S1) (단, 불소 원자를 갖는 유기 용매는 제외한다) 를 함유하는, 기판의 처리 방법.
A method for processing a substrate, for processing a surface of a substrate having projections/depressions formed on the surface, the method having: a rinsing step S101 of rinsing the surface of the substrate with a rinsing solution containing water; a chemical solution replacement step S102 of bringing a chemical solution into contact with the surface of the substrate that has been rinsed, to replace a liquid adhering to the surface of the substrate from the rinsing solution to the chemical solution; a state change step S103 of raising a temperature of the substrate wetted with the chemical solution to a temperature equal to or higher than the critical temperature of the chemical solution to allow the chemical solution to reach a supercritical state; and a removing step S104 of removing the chemical solution in the supercritical state from the surface of the substrate, in which the chemical solution contains an organic solvent (S1) (excluding, however, organic solvents having a fluorine atom) having a higher specific gravity than water. |
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