Patterning Device

리소그래피 장치와 사용하기 위한 패터닝 디바이스가 개시되며, 상기 디바이스는 입사 방사선을 흡수하고 입사 방사선의 일부분을 반사하도록 구성된 흡수재 부분 -흡수재 부분은 제 1 층 및 제 2 층을 포함하고, 흡수재 부분의 제 1 층은 흡수재 부분의 제 2 층의 제 2 재료와 상이한 제 1 재료를 포함함- ; 흡수재 부분 아래에 배치된 반사재 부분 -반사재 부분은 입사 방사선을 반사하도록 구성됨- ; 및 반사재 부분과 흡수재 부분 사이에 배치된 위상 조정부 -위상 조정부는 반사재 부분에 의해 반사된 방사선과 흡수재 부분에 의해 반사된...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: VAN DE KERKHOF MARCUS ADRIANUS, DE WINTER LAURENTIUS CORNELIUS, VAN SETTEN EELCO
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:리소그래피 장치와 사용하기 위한 패터닝 디바이스가 개시되며, 상기 디바이스는 입사 방사선을 흡수하고 입사 방사선의 일부분을 반사하도록 구성된 흡수재 부분 -흡수재 부분은 제 1 층 및 제 2 층을 포함하고, 흡수재 부분의 제 1 층은 흡수재 부분의 제 2 층의 제 2 재료와 상이한 제 1 재료를 포함함- ; 흡수재 부분 아래에 배치된 반사재 부분 -반사재 부분은 입사 방사선을 반사하도록 구성됨- ; 및 반사재 부분과 흡수재 부분 사이에 배치된 위상 조정부 -위상 조정부는 반사재 부분에 의해 반사된 방사선과 흡수재 부분에 의해 반사된 방사선의 부분 사이에 위상 시프트를 유도하도록 구성되어, 반사재 부분에 의해 반사된 방사선이 흡수재 부분에 의해 반사된 방사선의 부분과 상쇄 간섭하도록 함- 를 포함한다. A patterning device for use with a lithographic apparatus, the device comprising an absorber portion configured to absorb incident radiation and to reflect a portion of incident radiation, the absorber portion comprising a first layer and a second layer, the first layer of the absorber portion comprising a first material that is different from a second material of the second layer of the absorber portion; a reflector portion arranged beneath the absorber portion, the reflector portion being configured to reflect incident radiation; and a phase tune portion arranged between the reflector portion and the absorber portion, the phase tune portion being configured to induce a phase shift between the radiation reflected by the reflector portion and the portion of radiation reflected by the absorber portion such that the radiation reflected by the reflector portion destructively interferes with the portion of radiation reflected by the absorber portion.