SUBSTRATE ANALYSIS SYSTEM

본 발명의 일 실시예는, 패턴층이 형성된 기판이 반입 또는 반출되도록 구성되는 로드 락 모듈; 상기 패턴층의 밀링 영역에 이온 빔을 조사하여 상기 패턴층의 적어도 일부가 제거된 절삭면을 형성하도록 구성되는 밀링(milling) 모듈; 상기 밀링 모듈로부터 상기 기판을 전달받아, 상기 절삭면의 중심부에 형성된 분석 영역의 절삭 깊이를 측정하도록 구성되는 깊이 측정 모듈; 상기 깊이 측정 모듈로부터 상기 기판을 전달받아, 상기 분석 영역의 2차원 이미지를 촬영하도록 구성되는 이미징 모듈; 상기 로드 락 모듈, 상기 밀링 모듈, 상기 깊이 측정 모듈, 및 상기 이미징 모듈 사이에서 상기 기판을 이송하도록 구성되는 기판 이송 모듈; 및 상기 깊이 측정 모듈로부터 획득한 상기 절삭 깊이가 설정된 타겟 깊이보다 작은 경우, 상기 기판이 상기 밀링 모듈, 상기 깊이 측정 모듈, 및 상기 이미징 모듈을 순환하도록 상기 기판 이송 모듈을 제어하는 제어 모듈을 포함하고, 상기 밀링 모듈은 상기 이온 빔의 강도 맵(intensity map)을 기반으로 제공된 스캔 프로파일에 따라서 상기 이온 빔이 상기 밀링 영역 내를 수평하게 이동하도록 상기 이온 빔의 경로를 조절하는 기판 분석 시스템를 제공한다. A substrate analysis system includes a load-lock module configured to load or unload a substrate on which a pattern layer is formed; a milling module configured to form a milling surface from which at least a portion of the pattern layer is removed; a depth measuring module configured to measure a milling depth of an analysis region formed on the milling surface; an imaging module configured to capture a two-dimensional image of the analysis region; and a control module controlling the substrate to circulate through the milling module, the depth measuring module, and the imaging module, when the milling depth is shallower than a set target depth, wherein the milling module adjusts a path of the ion beam so that the ion beam moves horizontally in the milling region according to a scanning profile received based on an intensity map of the ion beam.