DIODE LASER FOR WAFER HEATING FOR EPI PROCESSES

본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 반도체 처리를 위한 장치 및 방법에 관한 것이고, 더 구체적으로는 열 프로세스 챔버에 관한 것이다. 열 프로세스 챔버는 기판 지지체, 기판 지지체 위에 배치되는 제1의 복수의 가열 부재, 및 제1의 복수의 가열 부재 위에 배치되는 하나 이상의 고에너지 복사 소스 어셈블리를 포함할 수 있다. 하나 이상의 고에너지 복사 소스 어셈블리는 처리 동안 기판 지지체 상에 배치되는 기판 상의 차가운 영역들의 국소적 가열을 제공하기 위해 이용된다. 기판의 국소화된 가열은 온도 프로파일을 개선하고, 이는 결국 퇴적 균일성을 개선한다. A process chamber, comprising: a first transmissive member (112); a second transmissive member (114); a substrate support (102) disposed between the first transmissive member (112) and the second transmissive member (114); a first plurality of heating elements (104) disposed over the first transmissive member (112), wherein the first transmissive member (112) is disposed between the first plurality of heating elements (104) and the substrate support (102); a lid (116) disposed over the first plurality of heating elements (104); a support member (132) disposed on the lid (116); a support block (614) disposed on the support member (132); and a spot heating source assembly (108) disposed on the support block (614), wherein the spot heating source assembly (108) comprises a radiant spot heating source pointed at the substrate support (102).