THERMAL MANAGEMENT SYSTEMS AND METHODS FOR WAFER PROCESSING SYSTEMS

작업물 홀더는 원통 축, 원통 축을 중심으로 한 반경, 및 두께를 갖는 퍽을 포함한다. 퍽의 적어도 정상부 표면은 실질적으로 평면이고, 퍽은 하나 또는 그 초과의 열 차단부들을 정의한다. 각각의 열 차단부는, 원통형인 퍽의 정상부 표면 및 바닥부 표면 중 적어도 하나와 교차하는 방사상 리세스이다. 방사상 리세스는, 퍽 두께의 적어도 절반을 통해 연장되는 열 차단부 깊이, 및 퍽 반경의 적어도 1/2인 열 차단부 반경을 갖는다. 웨이퍼를 프로세싱하는 방법은, 제 1 중앙-대-에지 프로세스 변화를 제공하는 제 1 프로세스로 웨이퍼를 프로세싱하는 단계, 그리고 그 이후에, 제 1 중앙-대-에지 프로세스 변화를 실질적으로 보상하는 제 2 중앙-대-에지 프로세스 변화를 제공하는 제 2 프로세스로 웨이퍼를 프로세싱하는 단계를 포함한다. A workpiece holder includes a puck, first and second heating devices in thermal communication with respective inner and outer portions of the puck, and a thermal sink in thermal communication with the puck. The first and second heating devices are independently controllable, and the first and second heating devices are in greater thermal communication with the puck, than thermal communication of the thermal sink with the puck. A method of controlling temperature distribution of a workpiece includes flowing a heat exchange fluid through a thermal sink to establish a reference temperature to a puck, raising temperatures of radially inner and outer portions of the puck to first and second temperatures greater than the reference temperature, by activating respective first and second heating devices disposed in thermal communication with the radially inner and outer portions of the puck, and placing the workpiece on the puck.