SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

플라즈마를 이용하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 반도체 소자의 제조 방법이 제공된다. 기판 처리 방법은, 공정 가스를 제공하고, 플라즈마 점화를 이용하여 공정 가스로부터 제1 에천트 및 제2 에천트를 포함하는 예비 에천트를 생성하고, 예비 에천트의 구성 비율을 제어하여 공정 에천트를 생성하고, 공정 에천트를 이용하여 기판에 대한 선택적 식각 공정을 수행하는 것을 포함한다. A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a method of fabricating a semiconductor device are provided. The substrate processing method includes providing a process gas, generating a preliminary etchant, which includes a first etchant and a second etchant, from the process gas through plasma ignition, generating a process etchant by controlling a composition ratio of the preliminary etchant, and performing a selective etching of the substrate with the process etchant.