DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

표시 장치는 기판 상에 배치되고, 기판과 마주보는 상면, 상면의 제1 단으로부터 기판을 향해 연장되는 제1 측면 및 상면의 제2 단으로부터 기판을 향해 연장되는 제2 측면을 포함하는 스페이서, 스페이서의 제1 측면 상에 배치되고, 금속 산화물 반도체를 포함하며, 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 액티브 패턴, 스페이서의 상기 제2 측면 및 액티브 패턴 상에 배치되고, 소스 영역에 연결되는 소스 전극, 기판 상에 배치되고, 소스 전극과 동일한 물질을 포함하며, 드레인 영역에 연결되는 드레인 전극 및 액티브 패턴 상에 배치되고, 스페이...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: LEE WOO GEUN, KIM KYU MIN, LIM SUNG HOON, SON SEUNG SOK, YANG SHIN HYUK
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:표시 장치는 기판 상에 배치되고, 기판과 마주보는 상면, 상면의 제1 단으로부터 기판을 향해 연장되는 제1 측면 및 상면의 제2 단으로부터 기판을 향해 연장되는 제2 측면을 포함하는 스페이서, 스페이서의 제1 측면 상에 배치되고, 금속 산화물 반도체를 포함하며, 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 액티브 패턴, 스페이서의 상기 제2 측면 및 액티브 패턴 상에 배치되고, 소스 영역에 연결되는 소스 전극, 기판 상에 배치되고, 소스 전극과 동일한 물질을 포함하며, 드레인 영역에 연결되는 드레인 전극 및 액티브 패턴 상에 배치되고, 스페이서의 제1 측면과 부분적으로 중첩하는 제1 게이트 전극을 포함한다. A display device includes: a substrate; a spacer on the substrate and including: an upper surface; a first side surface extending toward the substrate from a first end of the upper surface; and a second side surface extending toward the substrate from a second end of the upper surface; an active pattern on the first side surface of the spacer, including a metal oxide semiconductor, and having a source region and a drain region; a source electrode on the second side surface of the spacer and the active pattern, and connected to the source region; a drain electrode on the substrate, including a same material as the source electrode, and connected to the drain region; and a first gate electrode on the active pattern and partially overlapping the first side surface of the spacer.