최하부 유전체 아이솔레이션 층들을 형성하는 방법

본 개시내용의 실시예들은 초격자 구조물 아래로부터 더미 재료를 제거하기 위한 방법들에 관한 것이다. 일부 실시예들에서, 더미 재료를 제거한 후에, 그것은 초격자 구조물 아래의 최하부 유전체 아이솔레이션 층으로 대체된다. Embodiments of this disclosure relate to methods for removing a dummy material from under a superlattice structure. In some embodiments, after removing the dummy material, it is...

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Hauptverfasser: SUBRAHMANYAN PRADEEP K, LIN SANKUEI
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 개시내용의 실시예들은 초격자 구조물 아래로부터 더미 재료를 제거하기 위한 방법들에 관한 것이다. 일부 실시예들에서, 더미 재료를 제거한 후에, 그것은 초격자 구조물 아래의 최하부 유전체 아이솔레이션 층으로 대체된다. Embodiments of this disclosure relate to methods for removing a dummy material from under a superlattice structure. In some embodiments, after removing the dummy material, it is replaced with a bottom dielectric isolation layer beneath the superlattice structure.