METHOD FOR ANALYSIS OF PARTICLE COATING COVERAGE AND POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL

본 발명은 입자 코팅율 분석 방법에 관한 것으로, 코팅 대상 입자 표면에 원자층 증착법에 따라 코팅층을 형성할 때, 미량의 시료를 이용하면서도, 형상 분석을 통해 원자층 증착법에 따른 코팅율을 분석할 수 있고, 이를 양극 활물질에 이용함으로써, 양극 활물질의 표면에 형성된 코팅층의 두께가 필요 이상으로 두꺼워져 저항층으로 작용하지 않으며, 충분한 코팅율로 코팅층이 형성된 양극 활물질을 제조할 수 있다....

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: PARK SUNG EUN, KIM EUI TAE, LEE EUN JEONG, JOE JE MEE, KIM KI HWAN, LEE GEUN SUNG
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명은 입자 코팅율 분석 방법에 관한 것으로, 코팅 대상 입자 표면에 원자층 증착법에 따라 코팅층을 형성할 때, 미량의 시료를 이용하면서도, 형상 분석을 통해 원자층 증착법에 따른 코팅율을 분석할 수 있고, 이를 양극 활물질에 이용함으로써, 양극 활물질의 표면에 형성된 코팅층의 두께가 필요 이상으로 두꺼워져 저항층으로 작용하지 않으며, 충분한 코팅율로 코팅층이 형성된 양극 활물질을 제조할 수 있다.